Publications

Publications for year 2026

Publications

• CHIANG, Tai-Chang - HONG, J.I. - HUANG, S. - CHIOU, B.-C. - LIN, C. S. - CHENG, Y. - DEHGHAN, Mohammad - ŠČEPKA, Tomáš - HORSKÝ, Matej - ŠVEC, Peter Jr. - PATRNČIAK, Michal - PLECENIK, T. - CARNOY, M. - PARFENIUKAS, K. - PLAKHOTNYUK, M. - BORIE, B. - HUDEC, Boris* - HOU, T.-H.*. Direct atomic layer processing TiO2 RRAM gas sensor for real-time all-RRAM intelligent gas perception. In IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) : San Francisco 2025. - IEEE, 2025, p. 1-3. Dostupné na: https://doi.org/10.1109/IEDM50572.2025.11353891 . 09I05-03-V02-00058 : Smart senzory plynu a teploty s nízko-úrovňovým in-sensor spracovaním dát na báze neurónovej siete.) Typ: ADMB
• CHIDAMBARAM, Jeevan Roshan - ROSOVÁ, Alica** - DOBROČKA, Edmund - ŠVEC, Peter Jr. - HUŠEKOVÁ, Kristína - KUMAR, Satish - ŤAPAJNA, Milan - GUCMANN, Filip. Variation of surface morphology in (𝟐̅𝟎𝟏) β-GA2O3 epitaxial layers on c-plane sapphire substrates connected with {310}/(𝟐̅𝟎𝟏) volume ratio. In Proceedings of ADEPT : 14th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. Nový Smokovec, High Tatras, Slovakia June 5-18, 2026. Eds. S. Kováčová, J. Kováč, jr., I. Lettrichová. - Zilina : Univ. Zilina in EDIS, 2026, p. 111-114. . 09I05-03-V02-00030 : Výskum technológie výroby nízkonákladových polovodičových zariadení na báze oxidov pre IoT a senzorové aplikácie. APVV-24-0325 : Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie. SK-TW-RD-24-0006 : Vývoj technológií epitaxie Ga2O3 na rôzne substráty a Schottkyho diód so zlepšenou spoľahlivosťou. VEGA 2/0156/25 : Tepelný manažment elektronických a optoelektronických súčiastok na báze Ga2O3.) Typ: AFD
• CHIDAMBARAM, Jeevan Roshan** - ROSOVÁ, Alica - DOBROČKA, Edmund - ŠVEC, Peter Jr. - HUŠEKOVÁ, Kristína - ŤAPAJNA, Milan - GUCMANN, Filip. Real rotational domain microstructure driven by pseudo symmetry of oxygen sublattice in heteroepitaxial of β-Ga2O3 layers. In WOCSDICE-EXMATEC 2026 : 49th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, 20th Expert EvaluaƟon and Control of. - Gdansk, 2026, p. 116-117. . 09I05-03-V02-00030 : Výskum technológie výroby nízkonákladových polovodičových zariadení na báze oxidov pre IoT a senzorové aplikácie. APVV-24-0325 : Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie. VEGA 2/0156/25 : Tepelný manažment elektronických a optoelektronických súčiastok na báze Ga2O3.) Typ: GII
• KLBIK, Ivan** - MAŤKO, Igor - MILOVSKÁ, Stanislava - MELICHERČÍK, Milan - ŠVAJDLENKOVÁ, Helena - ŠVEC, Peter Jr. - RUSNÁK, Jaroslav - ČECHOVÁ, Katarína - LAKOTA, Ján - ŠAUŠA, Ondrej. Divergent freezing behavior in nanoconfinement: organic vs. salt aqueous mixtures. In Journal of Colloid and Interface Science, 2026, vol. 706, no. 13, art. no. 139612. (2025: 9.6 - IF, Q1 - JCR, 1.642 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 0021-9797. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.jcis.2025.139612 . APVV-21-0335 : Zmeny mikroštruktúry a fyzikálnych vlastností zosieťovaných polymérov v objeme a v uväznených podmienkach makro- a mezopórov. VEGA 2/0131/25 : Fyzikálne vlastnosti nových kryoprotektívnych materiálov inšpirovaných prírodnými kryoprotektantami. VEGA 2/0166/22 : Časticové mikro- a mezopórovité materiály na báze uhlíka z prírodných prekurzorov.) Typ: ADCA
• NAUGHTON-DUSZOVÁ, Annamária** - ŠVEC, Peter Jr. - PETRUŠ, Ondrej - KLIMCZYK, Piotr - KOVALČÍKOVÁ, Alexandra - DUSZA, Ján. Microstructure characterization of spark plasma sintered Al2O3-ZrO2-WC composite. In Ceramics International, 2026, vol. 52, p. 9543-9549. (2025: 6 - IF, Q1 - JCR, 0.961 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 0272-8842. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2026.01.144 . 09I03-03-V04-00582 : Dvojfázová vysokoentropická keramika vystužená uhlíkovými vláknami. 09I01-03-V05-00009 : Extrémne tvrdé a odolné vysokoentropické keramické materiály pre ultra vysoké teploty. APVV-21-0402 : Vývoj nových keramických materiálov komplexného zloženia pre extrémne aplikácie. APVV-23-0281 : Príprava a vlastnosti magneticky tvrdých a mäkkých materiálov bez kritických prvkov pre trvalo udržateľný rozvoj. VEGA 2/0120/25 : Implementácia konceptu substitúcie HEA atómov pri vývoji nových materiálov pripravených rôznymi ochladzovacími a žíhacími rýchlosťami. M-ERA.NET 3/2021/295/DuplexCER : Vysoko odolná duplexná keramika pre efektívne obrábanie niklových superzliatin.) Typ: ADCA
• ROSOVÁ, Alica** - HASENÖHRL, Stanislav - ŠVEC, Peter Jr. - DOBROČKA, Edmund - GUCMANN, Filip - STOKLAS, Roman - KUČERA, Michal - BLAHO, Michal - POMEROY, J.W. - KUBALL, M. - KUZMÍK, Ján**. Impact of flow modulation on MOCVD-grown In-rich N-polar InAlN films on sapphire. In Journal of Alloys and Compounds, 2026, vol. 1063, art. no. 187698. (2025: 6.7 - IF, Q1 - JCR, 1.079 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 0925-8388. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2026.187698 . VEGA 2/0120/25 : Implementácia konceptu substitúcie HEA atómov pri vývoji nových materiálov pripravených rôznymi ochladzovacími a žíhacími rýchlosťami.) Typ: ADCA